SK Hynix, 321 katmanlı NAND flash teknolojisinde dev bir adım atarak, daha önceki 238 katmanlı NAND’a göre önemli bir iyileşme sağladı. Bu yeni 4D NAND teknolojisinde, katman sayısı %35 oranında artırıldı ve veri depolama kapasitesinde kayda değer bir yükselme sağlandı.
SK Hynix, 321 Katmanlı 4D NAND Flash’ın Seri Üretimine Başladı
Önde gelen bellek ve depolama cihazı üreticilerinden SK Hynix, amiral gemisi olan 321 katmanlı TLC NAND flash’ının seri üretimine başladığını duyurdu. Bu yeni NAND, 1 TB’lık bellek yongaları sunarak yüksek kapasite gereksinimlerini karşılıyor. Şirket, geçen yıl tanıttığı bu yeni teknolojiyi, özellikle büyük veri depolama ve hızlı veri erişimi için kullanmayı hedefliyor.
Başlangıçta 2025’in ilk çeyreğinde seri üretime girmesi beklenen bu teknoloji, şirketin planlarından birkaç ay önce üretime geçti. SK Hynix’e göre, bu yeni 321 katmanlı NAND, selefine göre %35 daha fazla katman sunarak, depolama kapasitesini artırırken, güvenilirliği de önemli ölçüde geliştiriyor. Bu, dünyanın ilk 321 katmanlı 4D NAND flash’ı olarak tanıtıldı.
3 Fiş Teknolojisi ile 321 Katmanlı NAND
SK Hynix, bu yüksek katmanlı NAND teknolojisini üretmek için benzersiz bir yöntem geliştirdi: “3 Fiş” işlem teknolojisi. Bu teknolojide, bellek hücreleri için alt tabakalarda dikey delikler açılarak, her biri üç elektriksel fişle bağlanıyor. Böylece daha verimli ve stabil bir bellek hücresi yapısı elde ediliyor. Ayrıca, wafer’ın deformasyonunu önlemek için düşük stresli malzemeler kullanılarak üretim süreci optimize ediliyor.
Bu yenilikçi yaklaşım sayesinde, SK Hynix, üretim doğruluğunu artırmak için Hizalama Düzeltme Teknolojisi kullanarak daha iyi sonuçlar almayı başarıyor.
Yüksek Performans ve Güç Verimliliği
SK Hynix’in 321 katmanlı NAND’ı, %12 daha hızlı veri aktarımı, %13 daha iyi okuma performansı ve cihazlarda %10’dan fazla daha yüksek güç verimliliği sunuyor. Bu iyileştirmeler, özellikle taşınabilir cihazlar ve mobil uygulamalar için daha uzun pil ömrü sağlıyor. Ayrıca, üretim sürecindeki optimizasyonlarla %59 daha yüksek verimlilik elde ediliyor.
SK hynix, HBM’nin öncülük ettiği DRAM işinin üzerine ultra yüksek performanslı NAND alanında mükemmel bir portföy ekleyerek Full Stack AI Bellek Sağlayıcısı’na doğru ilerleme yolunda.
– Jungdal Choi, SK Hynix NAND Geliştirme Başkanı
Bu gelişmeler, SK Hynix’in özellikle AI ve makine öğrenimi gibi yüksek işlem gücü gerektiren uygulamalara yönelik NAND çözümleri sunma konusunda iddialı olduğunu gösteriyor. AI talebinin hızla arttığı bu dönemde, SK Hynix’in 321 katmanlı NAND flash’ı, SSD’ler aracılığıyla AI veri merkezlerine hızla veri sunabilir ve bu alandaki ihtiyaçları karşılayabilir.
Sektördeki Rekabeti Artıran 321 Katmanlı NAND
SK Hynix’in yeni 321 katmanlı NAND’ı piyasaya sürmesiyle birlikte, Samsung ve Micron gibi sektörün diğer büyük oyuncularıyla rekabeti daha da kızıştıracak gibi görünüyor. Şirket, bu yeni teknolojisiyle NAND çözümleri konusunda liderliğini pekiştirmeyi hedefliyor. Her üç şirket de yüksek kapasiteli ve hızlı veri erişimi sağlayan NAND flash çözümleri geliştirme yarışında hızla ilerliyor.
Özetle, SK Hynix, 321 katmanlı 4D NAND flash teknolojisiyle, depolama alanındaki önemli bir dönüm noktasına imza atmış oldu. Bu yeni teknoloji, yüksek performans ve düşük güç tüketimi ile veri merkezleri ve diğer yüksek işlem gücü gerektiren uygulamalar için büyük fırsatlar sunuyor.